Presentations -
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Fabrication and Evaluation of Resistive Switching Devices Utilizing Selective Surface Oxide Films of Liquid Metal Alloys International conference
Yuto Katsuma, Takahiko Ban, Masayoshi Ichimiya, Junichi Yanagisawa and Shin-ichi Yamamoto
The 2023 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2023) 2023.11
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Heat Treatment Dependence and Electrical Characterization of Resistive Switching Devices Using Liquid Metal International conference
Yuusuke Hirano, Takahiko Ban, Masayoshi Ichimiya, Junichi Yanagisawa and Shin-ichi Yamamoto
The 2023 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2023) 2023.11
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プラズマ照射したSi表面近傍の陽電子消滅法による評価
重定瑠士，一宮正義，番 貴彦，薮内 敦，木野村淳，柳澤淳一
第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023.9
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基板に成膜したアモルファスGe薄膜への低エネルギー電子ビーム照射による爆発的結晶化
坂元 響，仲村龍介，柳澤 淳一，佐道泰造
第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023.9
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MBE法によるCaF2基板上へのCuClサブミクロン薄膜の作製
小倉達貴，一宮正義，番貴彦，柳澤淳一
日本物理学会第78回年次大会 2023.9
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高結晶品質GaP薄膜の成膜法の検討と表面構造評価
山本純也，一宮正義，番貴彦，柳澤淳一
日本物理学会第78回年次大会 2023.9
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Au-Siイオン照射で形成されるSiO2表面のナノ構造を利用したAuナノ粒子の形成
内田 真裕人，一宮 正義，番 貴彦，柳澤 淳一
第70回応用物理学会春季学術講演会 2023.3
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高効率な光触媒効果の発現を目指した金属チタン表面の参加方法の検討と評価
中翔馬，一宮正義，柳澤淳一
応用物理学会関西支部第1回＋第2回合同講演会 2021.1
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AuSiイオン源からのAuおよびSiイオン同時照射と大気中での熱処理による石英ガラス基板内へのAuナノ粒子の形成
清水洋，一宮正義，柳澤淳一
応用物理学会関西支部第1回＋第2回合同講演会 2021.1
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Formation of Au nano-particles by Au and Si ion implantation on SiO2 films using Au-Si alloyed liquid metal ion source and thermal annealing under atmosphere International conference
Y. Okanishi, H. Shimizu, M. Ichimiya, and J. Yanagisawa
32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference 2019.10
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Ge(110)表面への低エネルギーArイオン照射効果と陽電子消滅を用いた表面構造の研究
塚元隆太，一宮正義，薮内敦，高宮幸一，木野村淳，柳沢淳一
第80回 応用物理学会秋季学術講演会 2019.9
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Au-Si共晶合金イオン源を用いたイオン注入によるシリコン酸化膜内での金ナノ粒子の形成と評価
岡西 裕太，一宮 正義，柳沢 淳一
第66回応用物理学会春季学術講演会 2019.3
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Au-Si共晶合金イオン源を用いたイオン注入によるSiO2薄膜内でのAuナノ粒子の形成プロセスの提案と反射率の評価
岡西 裕太，一宮 正義，柳沢 淳一
応用物理学会関西支部平成30年度第3回講演会「応用物理から生まれるビジネスの種」 2019.2
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Periodic Diamond Pattern Formation on Resist by Simple Orthogonally-Crossed Two Line-Scans of the Electron Beam International conference
K. Okada, T. Hioki, M. Ichimiya, and J. Yanagisawa
31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference 2018.11
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60 keV Ar Ion Irradiation Effect on Ge(110) Surfaces International conference
R. Tsukamoto, M. Ichimiya, K. Takamiya, A. Kinomura, and J. Yanagisawa
31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference 2018.11
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Ge(110)への60keVアルゴンイオン照射による表面形状効果
塚元隆太，一宮正義，高宮幸一，木野村淳，柳沢淳一
第79回 応用物理学会秋季学術講演会 2018.9
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Oxidation of Si and Ti surfaces using Oxygen plasma treatment International conference
S. Koyama and J. Yanagisawa
The 14th International Symposium on Sputtering & Plasma Processes 2017.7
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Formation of Nano-bump Structures of Si(100) Surfaces by Low-Energy Ga Ion Irradiation International conference
S. Suzue, Y. Matsui, and J. Yanagisawa
2016 International Microprocesses and Nanotechnology Conference 2016.11
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酸素プラズマを用いた金属チタンの酸化による光触媒材料の形成
山田将司, 柳沢 淳一
応用物理学会関西支部平成27年度第3回講演会 2016.2
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シリコンおよび窒化シリコン膜表面への低エネルギーガリウムイオン照射効果
山田将司, 松井 祐斗, 山田逸成, 柳沢 淳一
第76回応用物理学会秋季学術講演会 2015.9
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Control of Size and Shape of Nano-Porous Structure Formed on Ge (110) Surface by High –Energy Focused Ga Ion Beam Irradiation International conference
M. Yamada and J. Yanagisawa
2014 International Microprocesses and Nanotechnology Conference 2014.11
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Gaイオン照射した窒化シリコン薄膜へのGaN成長におけるイオン照射エネルギーの影響（II）
松井 祐斗, アザマト オシュラフノフ, 柳沢 淳一
第75回応用物理学会秋季学術講演会 2014.9
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集束イオンビームを用いたオールドライプロセスによるマイクロ流路デバイス作製プロセスの検討
安達 正哲, 吉田 黎, 柳沢 淳一
第61回応用物理学会春季学術講演会 2014.3
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Deformable silicone grating fabricated with a photo-imprinted polymer mold International conference
T. Ishihara, I. Yamada, J. Yanagisawa, J. Nishii, and M. Saito
26th International Microprocesses and Nanotechnology Conference 2013.11
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チタンの陽極酸化を利用した反射型偏光波長フィルタの作製と評価
横山遼, 山田逸成, 柳沢淳一
第22回日本光学会年次学術講演会 2013.11
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干渉露光と陽極酸化による酸化チタン格子の形成と光学評価
横山遼, 山田逸成, 柳沢淳一
平成25年度応用物理学会九州支部学術講演会 2013.11
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Fabrication of silicone grating using a photoimprinted polymer mold and period control by mechanical destortion International conference
T. Ishihara, I. Yamada, J. Yanagisawa, K. Koyama, T. Inoue, J. Nishii, and M. Saito
International Conference on Solid State Devices and Materials 2013.9
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チタンの陽極酸化を利用した反射型偏光波長フィルタの作製
横山遼, 山田逸成, 柳沢淳一
第74回応用物理学会秋季学術講演会 2013.9
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Gaイオン照射した窒化シリコン薄膜へのGaN成長におけるイオン照射エネルギーの影響
オシュラフノフ アザマト, 松井 祐斗, 佐藤 一成, 山本 喜之, 柳沢 淳一
第74回応用物理学会秋季学術講演会 2013.9
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サブ波長周期構造を利用した反射型波長板の作製と評価
石原隆明, 山田逸成, 柳沢淳一
第74回応用物理学会秋季学術講演会 2013.9
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サブ波長周期構造を利用した反射型波長板
石原隆明, 山田逸成, 柳沢淳一
第21回日本光学会年次学術講演会 2012.10
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MOCVD による窒化シリコン膜上へのGaN 成長におけるイオン照射効果
柳沢淳一
第58回応用物理学関係連合講演会2011年春季 2011.3
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Effect of Ion Implanted Damage on the Growth of Gallium Nitride on Silicon Nitride Surfaces using Metal-Organic Chemical Vapor Deposition International conference
K. Ishiizumi, J. Kikkawa, Y. Nakamura, A. Sakai, and J. Yanagisawa
2010 International Microprocesses and Nanotechnology Conference 2010.11
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Analysis of terahertz electromagnetic waves from undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures using a time-partitioning Fourier transform method
H. Takeuchi, S. Tsuruta, J. Yanagisawa, H. Yamada, M. Hata, and M. Nakayama
日本物理学会2010年秋季大会 2010.9
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Frequency-tunable terahertz electromagnetic wave emitters based on undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures utilizing sub-picosecond-range carrier-transport processes International conference
Hideo Takeuchi, J. Yanagisawa, S. Tsuruta, H. Yamada, M. Hata, and M. Nakayama
The 17th International Conference on Dynamical Processes in Excited States of Solids (DPC'10) 2010.6
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Simple strategy for enhancing terahertz emission from coherent longitudinal optical phonons using undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures International conference
Hideo Takeuchi , J. Yanagisawa, S. Tsuruta, H. Yamada, M. Hata, and M. Nakayama
The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ICSC2010) 2010.6
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Polarity reversal of terahertz electromagnetic waves in GaAs-based dilute nitride epitaxial layers
H. Takeuchi , J. Yanagisawa, J. Hashimoto, and M. Nakayama
日本物理学会2010年春季大会 2010.3
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Layer-thickness dependence on THz electromagnetic wave generation from i-GaAs/n -GaAs epitaxial structures
S. Tsuruta, H. Takeuchi , J. Yanagisawa, H. Yamada, M. Hata, and M. Nakayama
日本物理学会2010年春季大会 2010.3
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Direction of the surface band bending in GaAs1-xNx investigated by terahertz electromagnetic wave and its quantification using photoreflectance measurements
H. Takeuchi, Jun Hashimoto, Junichi Yanagisawa, and Masaaki Nakayama
第20回光物性研究会 2009.12
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Maskless formation of patterned gallium nitride layer on low-energy Ga-ion-implanted silicon nitride surface by metal-organic chemical vapor deposition International conference
K. Ishiizumi, J. Kikkawa, Y. Nakamura, A. Sakai, and J. Yanagisawa
22nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference 2009.11
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Observation and quantification of the direction reversal of the surface band herebending in GaAs1-xNx using terahertz electromagnetic wave and photoreflectance measurements International conference
Hideo Takeuchi, Junichi Yanagisawa, Jun Hashimoto, and Masaaki Nakayama
The 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8) 2009.10
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Generation of intense terahertz electromagnetic wave in undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures
H. Takeuchi, J. Yanagisawa, T. Hasegawa, and M. Nakayama
日本物理学会2009年秋季大会 2009.9
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Surface modification of SiNx to GaN by Ga ion implantation to form a matrix for selective growth of GaN by MOCVD International conference
J. Yanagisawa, K. Ishiizumi, and A. Sakai
16th International Conference on Surface Modification of Materials by Ion Beams 2009.9
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集束イオンビーム支援堆積法で形成したカーボン系薄膜の機械的特性のイオン種依存性
柳沢淳一
電気学会プラズマ・パルスパワー・放電合同研究会 2009.8
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Direction reversal of the surface band bending in GaAs-based dilute nitride epitaxial layers investigated by polarity of terahertz electromagnetic waves International conference
Hideo Takeuchi, Junichi Yanagisawa, and Masaaki Nakayama
The 14th International Conference on Narrow Gap Semiconductors and Systems (NGSS-14) 2009.7
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Fabrication of micro fluid channel structures by focused ion beam techniques Invited International conference
J. Yanagisawa, H. Kobayashi, K. Koreyama, and Y. Akasaka
The MRS 2009 Spring Meeting 2009.4
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FIB-CVD法で作製したカーボン系堆積物におけるアニールの影響
楊卓真，酒井朗, 柳沢淳一
第56回応用物理学関係連合講演会2009年春季 2009.3
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Gaイオン注入したシリコン窒化膜上へのMOCVDによるGaNの選択成長
石泉和也, 柳沢淳一, 酒井朗
第56回応用物理学関係連合講演会2009年春季 2009.3
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集束イオンビームで形成した多孔質Ge表面構造のプラズマ処理による改質の可能性
柳沢淳一
電気学会プラズマ研究会 2008.12
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Enhancement mechanism of terahertz electromagnetic wave emission in undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures
H. Takeuchi, J. Yanagisawa, T. Hasegawa, and M. Nakayama
第19回光物性研究会 2008.12
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Annealing effect of deposited materials formed by focused Au or Si ion beam-induced chemical vapor deposition using phenanthrene International conference
T. Yo, H. Tanaka, T. Nagata, N. Fukata, T. Chikyow, A. Sakai, and J. Yanagisawa
21th International Microprocesses and Nanotechnology Conference 2008.10
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Intense emission of THz electromagnetic wave from an undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structure International conference
Hideo Takeuchi, J. Yanagisawa, T. Hasegawa, and M. Nakayama
The 35th International Symposium on Compound Semiconductors (ICSC2008) 2008.9
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Nano-indentation measurement of carbonaceous films formed by focused ion beam-induced chemical vapor deposition (FIB-CVD) using Au or Si ions with phenanthrene International conference
T. Yo, H. Tanaka, K. Nakamatsu, S. Matsui, A. Sakai, and J. Yanagisawa
16th International Conference on Ion Beam Modification of Materials 2008.8