柳澤 淳一 (ヤナギサワ ジュンイチ)

YANAGISAWA Junichi

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職名

教授

研究分野・キーワード

半導体プロセス工学、イオンビーム工学

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プロフィール

研究課題(研究概要)
真空中でイオンを加速して固体表面に照射すると、イオンの種類やエネルギーに応じてイオン種の堆積、ターゲット原子のスパッタ、固体内部へのイオンの注入、などの現象が起こる。これらを利用し、イオン照射中のターゲット周りの雰囲気を変えることでイオンとの反応を利用した新しい材料合成や加工を行なうプロセス、イオンビームを集束して制御することで固体表面の特定の場所だけを選択してイオン照射を行ない、上記のような素過程を局所的に起こすことで局所微細加工を行なうプロセス、などの研究を行なう。主に半導体の分野で進展してきたこれらの技術を、今後は工学、理学、さらにはバイオ関係など、より広い分野において新しく応用や展開を図りたい。
研究業績等(概要)
イオンビームや集束イオンビーム(FIB)を用いたプロセスで、次のような研究を行なってきた:
(1) 機能性デバイス構造の作製
・Si FIB-MBEによるGaAs中への埋め込み局所伝導層の形成
・Mn FIB照射によるGaAsへの局所強磁性層の形成
・高エネルギーFIBによる微小トンネル接合の形成
(2) 高機能性薄膜の形成
・Si FIB直接堆積法によるSiおよびSi酸化物薄膜の局所形成
・窒素雰囲気でのGaイオン直接堆積によるGaN薄膜の形成
・SiN薄膜への低エネルギー Gaイオン注入によるGaNの形成
(3) 集束イオンビームによる超微細加工
・Ge表面への高エネルギー Ga FIB照射によるスポンジ状ナノ構造の形成と制御
・Au、Si FIB-CVDによるナノ立体構造の作製と評価
・FIBプロセスによるマイクロ流体デバイスの試作

出身学校 【 表示 / 非表示

  • 信州大学  理学部  物理学科  1986年03月

出身大学院 【 表示 / 非表示

  • 大阪府立大学  総合科学研究科  物質科学専攻  修士課程  1988年03月

  • 大阪大学  基礎工学研究科  物理系専攻  博士課程  1991年03月

取得学位 【 表示 / 非表示

  • 工学博士  大阪大学  1991年03月

  • 学術修士  大阪府立大学  1988年03月

  • 理学士  信州大学  1986年03月

学内職務経歴 【 表示 / 非表示

  • 滋賀県立大学  工学部  電子システム工学科  教授   2008年04月 ~ 現在

学外略歴 【 表示 / 非表示

  • 大阪大学基礎工学部  助手   1991年04月 ~ 1997年03月

  • 大阪大学大学院基礎工学研究科  講師   1997年04月 ~ 2003年03月

  • 大阪大学大学院基礎工学研究科  助教授   2003年04月 ~ 2007年03月

  • 大阪大学大学院基礎工学研究科  准教授   2007年04月 ~ 2008年03月

所属学会・委員会 【 表示 / 非表示

  • 応用物理学会  

  • 日本高圧力学会  

  • 日本物理学会  

  • 日本物理教育学会  

  • 日本表面真空学会  

研究分野(科研費分類) 【 表示 / 非表示

  • 電子デバイス・電子機器

  • 薄膜・表面界面物性

  • 電子・電気材料工学

 

研究テーマ 【 表示 / 非表示

  • 集束イオンビームによるバイオチップ加工

    集束イオンビーム、バイオチップ、マスクレス加工

  • 低エネルギーイオンビームプロセスに関する研究

    シリコン、シリコン酸化物、薄膜、窒化ガリウム

  • 半導体極微構造加工に関する研究

    極微加工、半導体極微構造

論文 【 表示 / 非表示

  • Reflective waveplate with subwavelength grating structure

    Itsunari Yamada, Takaaki Ishihara and Junichi Yanagisawa

     Jpn. J. Appl. Phys.  54   092203-1 ~ 0922003-4  2015年

    共著  共同(副担当)

  • Deformable Silicone Grating with Submicrometer Period

    T. Ishihara, I. Yamada, J. Yanagisawa, J. Nishii, and M. Saito

     Jpn. J. Appl. Phys.    2014年

    共著  共同(副担当)

  • Frequency-tunable terahertz electromagnetic wave emitters based on undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures utilizing sub-picosecond-range carrier-transport processes

    Hideo Takeuchi , Junichi Yanagisawa, Shuichi Tsuruta, Hisashi Yamada, Makoto Hata, and Masaaki Nakayama

     Journal of Luminescence  131   531 ~ 534  2011年

    共著  共同(副担当)

  • Simple strategy for enhancing terahertz emission from coherent longitudinal optical phonons using undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures

    Hideo Takeuchi, Junichi Yanagisawa, Shuichi Tsuruta, Hishashi Yamada, Masahiko Hata, and Masaaki Nakayama

     Physica Status Solidi C  8   343 ~ 345  2011年

    共著  共同(副担当)

  • Effect of Low-Energy Ga Ion Implantation on Selective Growth of Gallium Nitride Layer on Silicon Nitride Surfaces Using Metal Organic Chemical Vapor Deposition

    K. Ishiizumi, J. Kikkawa, Y. Nakamura, A. Sakai, and J. Yanagisawa

     Jpn. J. Appl. Phys.  50   06GC02 ~  2011年

    共著  共同(主担当)

  • Frequency shift of terahertz electromagnetic waves originating from sub-picosecond-range carrier transport in undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures

    Hideo Takeuchi, Junichi Yanagisawa, Shuichi Tsuruta, Hisashi Yamada, Makoto Hata, and Masaaki Nakayama

     Japanese Journal of Applied Physics  49   082001 1-5 ~  2010年

    共著  共同(副担当)

  • Direction reversal of the surface band bending in GaAs-based dilute nitride epitaxial layers investigated by polarity of terahertz electromagnetic waves

    H. Takeuchi, J. Yanagisawa, and M.Nakayama

     Physics Procedia  3   1109 ~ 1113  2010年

    共著  共同(副担当)

  • 集束イオンビーム支援堆積法で形成したカーボン系薄膜の機械的特性

    柳沢淳一

     電気学会論文誌A  130   949 ~ 954  2010年

    単著  

  • Observation and quantification of the direction reversal of the surface band bending in GaAs1-xNx using terahertz electromagnetic wave and photoreflectance measurements

    Hideo Takeuchi, Junichi Yanagisawa, Jun Hashimoto, and Masaaki Nakayama

     Physica Status Solidi C  7   1844 ~ 1846  2010年

    共著  共同(副担当)

  • Effect of Annealing on Mechanical Properties of Materials Formed by Focused Au or Si Ion-Beam-Induced Chemical Vapor Deposition Using Phenanthrene

    T. Yo, H. Tanaka, T. Nagata, N. Fukata, T. Chikyow, A. Sakai, and J. Yanagisawa

     Jpn. J. Appl. Phys.  48   06FB03 ~  2009年

    共著  共同(主担当)

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著書 【 表示 / 非表示

  • GaNパワーデバイスの技術展開

    江川孝志, 他

    サイエンス&テクノロジー(株)  10p  2012年04月

    単行本(学術書)  分担執筆

  • ナノバイオ大事典

    山根恒夫, 松永是, 民谷栄一 監修

    株式会社テクノシステム  3p  2007年01月

    単行本(学術書)  共著

会議での講演 【 表示 / 非表示

  • Au-Si共晶合金イオン源を用いたイオン注入によるシリコン酸化膜内での金ナノ粒子の形成と評価

    第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月

  • Au-Si共晶合金イオン源を用いたイオン注入によるSiO2薄膜内でのAuナノ粒子の形成プロセスの提案と反射率の評価

    応用物理学会関西支部平成30年度第3回講演会「応用物理から生まれるビジネスの種」  2019年02月

  • 60 keV Ar Ion Irradiation Effect on Ge(110) Surfaces

    31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference  2018年11月

  • Periodic Diamond Pattern Formation on Resist by Simple Orthogonally-Crossed Two Line-Scans of the Electron Beam

    31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference  2018年11月

  • Ge(110)への60keVアルゴンイオン照射による表面形状効果

    第79回 応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月

  • Oxidation of Si and Ti surfaces using Oxygen plasma treatment

    The 14th International Symposium on Sputtering & Plasma Processes  2017年07月

  • Formation of Nano-bump Structures of Si(100) Surfaces by Low-Energy Ga Ion Irradiation

    2016 International Microprocesses and Nanotechnology Conference  2016年11月

  • 酸素プラズマを用いた金属チタンの酸化による光触媒材料の形成

    応用物理学会関西支部平成27年度第3回講演会  2016年02月

  • シリコンおよび窒化シリコン膜表面への低エネルギーガリウムイオン照射効果

    第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年09月

  • Control of Size and Shape of Nano-Porous Structure Formed on Ge (110) Surface by High –Energy Focused Ga Ion Beam Irradiation

    2014 International Microprocesses and Nanotechnology Conference  2014年11月

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知的財産権 【 表示 / 非表示

  • 窒化物半導体成長用基板

     特願2013-176635  特許第6181474号

  • 窒化ガリウム成長用基板及びその製造方法

     特願2005-90957

  • 検査リペア装置

     特開2006-269636

研究シーズ 【 表示 / 非表示

  • イオンビームプロセスを主とした超微細加工技術の新展開

 
 

学部講義等担当 【 表示 / 非表示

  • 電子デバイス

  • 半導体基礎

  • 量子力学概論

  • 電子社会と人間

  • 人間探求学

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大学院講義担当 【 表示 / 非表示

  • テクニカルコミュニケーション

  • 荷電粒子ビーム工学

  • 電子システム特論

  • 電子システム特論

 

学会等における役職 【 表示 / 非表示

  • 日本表面真空学会関西支部  幹事   2018年04月 ~ 2021年03月

  • 応用物理学会  代議員   2010年02月 ~ 2012年01月

  • 日本物理学会  京都支部委員   2009年09月 ~ 2010年08月

  • 応用物理学会関西支部  特任幹事   2009年04月 ~ 2010年03月

  • 日本物理学会  京都支部委員   2008年09月 ~ 2009年08月

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