応用物理学会関西支部  特任幹事  その他役職   2008年4月1日 ～ 2009年3月31日

応用物理学会関西支部  リフレッシュ理科教室担当幹事  その他役職   2007年4月1日 ～ 2008年3月31日

応用物理学会関西支部  幹事  その他役職   2006年4月1日 ～ 2007年3月31日

応用物理学会関西支部  幹事  その他役職   2005年4月1日 ～ 2006年3月31日

Direction reversal of the surface band bending in GaAs-based dilute nitride epitaxial layers investigated by polarity of terahertz electromagnetic waves

H. Takeuchi, J. Yanagisawa, and M.Nakayama

Physics Procedia   3   1109 - 1113   2010年

Frequency shift of terahertz electromagnetic waves originating from sub-picosecond-range carrier transport in undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures

Hideo Takeuchi, Junichi Yanagisawa, Shuichi Tsuruta, Hisashi Yamada, Makoto Hata, and Masaaki Nakayama

Japanese Journal of Applied Physics   49   082001 1-5   2010年

Observation and quantification of the direction reversal of the surface band bending in GaAs1-xNx using terahertz electromagnetic wave and photoreflectance measurements

Hideo Takeuchi, Junichi Yanagisawa, Jun Hashimoto, and Masaaki Nakayama

Physica Status Solidi C   7   1844 - 1846   2010年

集束イオンビーム支援堆積法で形成したカーボン系薄膜の機械的特性

柳沢淳一

電気学会論文誌Ａ   130   949 - 954   2010年

Effect of Annealing on Mechanical Properties of Materials Formed by Focused Au or Si Ion-Beam-Induced Chemical Vapor Deposition Using Phenanthrene

T. Yo, H. Tanaka, T. Nagata, N. Fukata, T. Chikyow, A. Sakai, and J. Yanagisawa

Jpn. J. Appl. Phys.   48   06FB03   2009年

Fabrication of micro-fluid-channel structures by focused ion beam technique 招待

J. Yanagisawa, H. Kobayashi, K. Koreyama, and Y. Akasaka

Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   1181   1181-DD03-01   2009年

Intense emission of terahertz electromagnetic wave from an undoped GaAs/n -type GaAs epitaxial layer structure

H. Takeuchi, J. Yanagisawa, T. Hasegawa, and M. Nakayama

Physica Status Solidi ©   6   1513 - 1516   2009年

Effects of nitrogen incorporation on a direction of a surface band bending investigated by polarity of terahertz electromagnetic waves in GaAs(1-x)N(x) epitaxial layers

H. Takeuchi, J. Yanagisawa, J. Hashimoto, and M. Nakayama

J. Appl. Phys.   105   093539   2009年

Characterization of Deposited Materials Formed by Focused Ion Beam-Induced Chemical Vapor Deposition Using AuSi Alloyed Metal Source

T. Yo, H. Tanaka, K. Koreyama, T. Nagata, Y. Sakuma, K. Nakajima, T. Chikyow, J. Yanagisawa, and A. Sakai

Jpn. J. Appl. Phys.   47   5018 - 5021   2008年

Enhancement of terahertz electromagnetic wave emission from an undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structure

H. Takeuchi, J. Yanagisawa, T. Hasegawa, and M. Nakayama

Appl. Phys. Lett.   93   081916   2008年

Effects of Ga ion irradiation on growth of GaN on SiN substrates by electron cyclotron resonance-assisted molecular beam epitaxy

J. Yanagisawa, H. Matsumoto, T. Fukuyama, Y. Shiraishi, T. Yodo, and Y. Akasaka

Nucl. Instr. and Meth. B   257   348 - 351   2007年

Deposition of carbonaceous structures using focused Au and Si ion-beam-induced chemical vapor deposition methods

R. Okada, T. Yo, J. Yanagisawa, and S. Matsui

J. Vac. Sci. Technol. B   25   2180 - 2183   2007年

Nano-porous structure formations on germanium surfaces by focused ion beam irradiations

J. Yanagisawa, K. Takarabe, K. Ogushi, K. Gamo, and Y. Akasaka

J. Phys.: Condens. Matter   19   445002   2007年

Formation of local ferromagnetic areas on GaAs by focused Mn ion beam implantation

M. Kasai, J. Yanagisawa, H. Tanaka, S. Hasegawa, H. Asahi, K. Gamo, and Y. Akasaka

Nucl. Instr. and Meth. B   242   240 - 243   2006年

Formation and characterization of swelled nano-porous structures on ion-irradiated Ge surfaces

J. Yanagisawa, K. Ogushi, K. Takarabe, K. Gamo, and Y. Akasaka

Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   908E   0908-OO11-04.1   2006年

Formation of GaN layer on SiN surface using low-energy Ga ion implantation

J. Yanagisawa, M. Toda, T. Kitamura, H. Matsumoto, and Y. Akasaka

J. Vac. Sci. Technol. B   23   3205 - 3208   2005年

Formation of GaN films by Ga ion direct deposition under nitrogen radical atmosphere

M. Toda, J. Yanagisawa, K. Gamo, and Y. Akasaka

J. Vac. Sci. Technol. B   22   3012 - 3015   2004年

Maskless Mn implantation in GaAs using focused Mn ion beam

M. Itou, M. Kasai, T. Kimura, J. Yanagisawa, F. Wakaya, Y. Yuba, and K. Gamo

Nucl. Instr. and Meth. B   206   1013 - 1017   2003年

In situ Si Doping in GaAs using Low-energy Focused Si Ion Beam/Molecular Beam Epitaxy Combined System

K. Kubo, J. Yanagisawa, F. Wakaya, Y. Yuba, and K. Gamo

Proc. of 17th International Conference on the Application of Accelerators in Research and Industry   662 - 665   2003年

Carrier activation in in situ Si-doped GaAs layers fabricated by a focused Si ion beam and molecular beam epitaxy combined system

T. Hada, H. Miyamoto, J. Yanagisawa, F. Wakaya, Y. Yuba, and K. Gamo

Nucl. Instr. and Meth. B   175-177   751 - 755   2001年

Formation of narrow grooves on thin metal layer by focused ion beam etching

M. Yoshida, S. Murakami, M. Nakayama, J. Yanagisawa, F. Wakaya, T. Kaito, and K. Gamo

Microelectronic Engineering   57-58   877 - 882   2001年

Carrier distribution profiles in Si-doped layers in GaAs formed by focused ion beam implantation and successive overlayer growth

T. Hada, T. Goto, J. Yanagisawa, F. Wakaya, Y. Yuba, and K. Gamo

J. Vac. Sci. Technol. B   18   3158 - 3161   2000年

Galvanomagnetic effect of submicron exchange-coupled Co/Ni wire

T. Kimura, F. Wakaya, J. Yanagisawa, Y. Yuba, K. Gamo

Jpn. J. Appl. Phys.   39   6526 - 6529   2000年

Magnetization process and resistance jumps in a submicron-scale cross-shaped Co wire

T. Kimura, F. Wakaya, J. Yanagisawa, Y. Yuba, and K. Gamo

J. Mag. Mag. Mat.   222   79 - 85   2000年

Metastable domain structures of ferromagnetic microstructures observed by soft x-ray magnetic circular dichroism microscopy

S. Imada, S. Ueda, R. Jung, Y. Saitoh, M. Kotsugi, W. Kuch, J. Gilles, S. Kang, F. Offi, J. Kirschner, H. Daimon, T. Kimura, J. Yanagisawa, K. Gamo, and S. Suga

Jpn. J. Appl. Phys., Part 2   39   L585 - L587   2000年

Carier profiles and electron traps at a growth-interrupted layer in GaAs fabricated by a focused ion beam and molecular beam epitaxy combined system

T. Goto, T. Hada, J. Yanagisawa, F. Wakaya, Y. Yuba, and K. Gamo

Appl. Surface Sci.   159-160   277 - 281   2000年

Low-energy focused Si ion beam deposition under oxygen atmosphere

J. Yanagisawa, Y. Wang, T. Hada, K. Murase, and K. Gamo

Nucl. Instr. and Meth. B   148   42 - 46   1999年

Exchange interaction from current and voltage probes in galvanomagnetic effect in polycrystal Co thin film

T. Kimura, F. Wakaya, J. Yanagisawa, Y. Yuba, and K. Gamo

Jpn. J. Appl. Phys.   38   4737 - 4740   1999年

Focused ion beam process for formation of a metal/insulator/metal double tunnel junction

M. Nakayama, J. Yanagisawa, F. Wakaya, and K. Gamo

Jpn. J. Appl. Phys.   38   7151 - 7154   1999年

Carrier profile of the Si-doped layer in GaAs fabricated by a low-energy focused ion beam/molecular beam epitaxy combined system

J. Yanagisawa, T. Goto, T. Hada, M. Nakai, F. Wakaya, Y. Yuba, and K. Gamo

J. Vac. Sci. Technol. B   17   3072 - 3074   1999年

Interface states induced in GaAs by growth interruption during an in situ process

F. Wakaya, T. Matsubara, M. Nakayama, J. Yanagisawa, Y. Yuba, S. Takaoka, K. Murase, and K. Gamo

J. Vac. Sci. Technol. B   16   2313 - 2316   1998年

Effects of growth interruption in in situ process for buried quantum structures

F. Wakaya, T. Matsubara, M. Nakayama, J. Yanagisawa, Y. Yuba, S. Takaoka, K. Murase, and K. Gamo

Microelectronic Engineering   41/42   591 - 594   1998年

Focused ion beam etching of resist/Ni multilayer films and applications to metal island structure formation

M. Nakayama, F. Wakaya, J. Yanagisawa, and K. Gamo

J. Vac. Sci. Technol. B   16   2511 - 2514   1998年

Direct deposition of silicon and silicon-oxide films using low-energy Si focused ion beam

J. Yanagisawa, H. Nakayama, O. Matsuda, K. Murase, and K. Gamo

Nucl. Instr. Methods B   127/128   893 - 896   1997年

Characterization of Si-doped layer in GaAs fabricated by a focused ion beam/molecular beam epitaxy combined system

J. Yanagisawa, H. Nakayama, K. Oka, M. Nakai, F. Wakaya, Y. Yuba, S. Takaoka, K. Murase, and K. Gamo

J. Vac. Sci. Technol. B   15   2930 - 2933   1997年

Fabrication of buried quantum structures using FIB-MBE total vacuum process

F. Wakaya, J. Yanagisawa, T. Matsubara, H. Nakayama, Y. Yuba, S. Takaoka, K. Murase, and K. Gamo

Microelectronic Engineering   35   451 - 454   1997年

Characterization of laterally selected Si doped layer formed in GaAs using a low-energy FIB-MBE combined system

H. Nakayama, J. Yanagisawa, F. Wakaya, Y. Yuba, S. Takaoka, K. Murase, and K. Gamo

Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   438   187 - 192   1997年

Formation of buried two-dimensional electron gas in GaAs by Si ion doping using MBE-FIB combined system

J. Yanagisawa, H. Nakayama, F. Wakaya, Y. Yuba, and K. Gamo

Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   396   701 - 705   1996年

Investigation of growth interruption in the UHV total vacuum process for buried quantum structures

F. Wakaya, T. Matsubara, J. Yanagisawa, Y. Yuba, S. Takaoka, K. Murase, and K. Gamo

Microelectronic Engineering   30   475 - 478   1996年

Effects of growth interruption and FIB implantation in the UHV total vacuum process for the buried mesoscopic structures

F. Wakaya, T. Matsubara, H. Nakayama, Y. Yanagisawa, Y. Yuba, S. Takaoka, K. Murase, and K. Gamo

Physica B   227   268 - 270   1996年

Characterization of directly deposited silicon films using low-energy focused ion beam

J. Yanagisawa, N. Onishi, H. Nakayama, and K. Gamo

Jpn. J. Appl. Phys.   35   6584 - 6587   1996年

Fabrication of laterally selected Si doped layer in GaAs using a low-energy focused ion beam/molecular beam epitaxy combined system

J. Yanagisawa, H. Nakayama, F. Wakaya, Y. Yuba, and K. Gamo

J. Vac. Sci. Technol. B   14   3938 - 3941   1996年

Low-energy focused ion beam system and direct deposition of Au and Si

J. Yanagisawa, K. Kito, K. Monden, and K. Gamo

J. Vac. Sci. Technol. B   13   2621 - 2624   1995年

Transport properties and fabrication of coupled electron waveguides

F. Wakaya, H. Otoi, J. Yanagisawa, Y. Yuba, S. Takaoka, K. Murase, K. Gamo, D. G. Hasko, G. A. C. Jones, and H. Ahmed

Jpn. J. Appl. Phys.   34   4446 - 448   1995年

Flux dependence of implantation damage in GaAs induced by focused gallium ion beam

M. Takai, S. Hara, T. Kishimoto, and J. Yanagisawa

Proc. Ion Implantation Technology-94   856 - 859   1995年

Nuclear microprobe analysis of implantation damage induced by focused gallium ion beams in GaAs

M. Takai, S. Hara, T. Kishimoto, and J. Yanagisawa

Nucl. Instr. Methods B   104   524 - 527   1995年

Low energy ion irradiation effect on electron transport in GaAs/AlGaAs heterostructures

J. Yanagisawa, A. Nozawa, Y. Yuba, S. Takaoka, K. Murase, and K. Gamo

Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   354   165 - 170   1995年

Low energy focused ion beam system combined with molecular beam epitaxy system for fabrication of 3-dimensional buried semiconductor structures

J. Yanagisawa, K. Kito, K. Monden, and K. Gamo

Proc. SPIE (Electron-Beam Sources and Charged-Particle Optics)   2522   406 - 411   1995年

Maskless deposition of Au on GaAs by low-energy focused ion beam

K. Kito, J. Yanagisawa, K. Monden, H. Nakayama, Y. Yuba, and K. Gamo

Jpn. J. Appl. Phys.   34   6853 - 6856   1995年

Low energy focused ion beam and buried electron waveguides fabrication

F. Wakaya, A. Nozawa, J. Yanagisawa, Y. Yuba, S. Takaoka, K. Murase, and K. Gamo

Microelectronic Engineering   23   123 - 126   1994年

Investigation of in situ process for GaAs/AlGaAs buried quantum wires

F. Wakaya, K. Umeda, J. Yanagisawa, Y. Yuba, S. Takaoka, K. Murase, and K. Gamo

Jpn. J. Appl. Phys.   33   7223 - 7227   1994年

Ion beam irradiation effect on solubility of spin-on glass to methanol

J. Yanagisawa, Y.-B. Koh, and K. Gamo

Nucl. Instr. Methods B   80/81   1128 - 1131   1993年

Estimation of damage induced by focused Ga ion beam irradiation

T. Yamamoto, J. Yanagisawa, K. Gamo, S. Takaoka, and K. Murase

Jpn. J. Appl. Phys.   32   6268 - 6273   1993年

Direct patterning of spin-on glass by focused ion beam irradiation

Y.-B. Koh, T. Goto, J. Yanagisawa, and K. Gamo

Jpn. J. Appl. Phys.   31   4479 - 4482   1992年

Analysis of high energy ion scattering for the Si(111)7x7 DAS model by computer simulation

J. Yanagisawa and A. Yoshimori

Surface Sci.   231   297 - 303   1990年

高結晶品質GaP薄膜の成膜法の検討と表面構造評価

山本純也，一宮正義，番貴彦，柳澤淳一

日本物理学会第78回年次大会  2023年9月 

Au-Siイオン照射で形成されるSiO2表面のナノ構造を利用したAuナノ粒子の形成

内田 真裕人，一宮 正義，番 貴彦，柳澤 淳一

第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年3月 

高効率な光触媒効果の発現を目指した金属チタン表面の参加方法の検討と評価

中翔馬，一宮正義，柳澤淳一

応用物理学会関西支部第1回＋第2回合同講演会  2021年1月 

AuSiイオン源からのAuおよびSiイオン同時照射と大気中での熱処理による石英ガラス基板内へのAuナノ粒子の形成

清水洋，一宮正義，柳澤淳一

応用物理学会関西支部第1回＋第2回合同講演会  2021年1月 

Formation of Au nano-particles by Au and Si ion implantation on SiO2 films using Au-Si alloyed liquid metal ion source and thermal annealing under atmosphere 国際会議

Y. Okanishi, H. Shimizu, M. Ichimiya, and J. Yanagisawa

32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference  2019年10月 

Ge(110)表面への低エネルギーArイオン照射効果と陽電子消滅を用いた表面構造の研究

塚元隆太，一宮正義，薮内敦，高宮幸一，木野村淳，柳沢淳一

第80回 応用物理学会秋季学術講演会  2019年9月 

Au-Si共晶合金イオン源を用いたイオン注入によるシリコン酸化膜内での金ナノ粒子の形成と評価

岡西 裕太，一宮 正義，柳沢 淳一

第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年3月 

Au-Si共晶合金イオン源を用いたイオン注入によるSiO2薄膜内でのAuナノ粒子の形成プロセスの提案と反射率の評価

岡西 裕太，一宮 正義，柳沢 淳一

応用物理学会関西支部平成30年度第3回講演会「応用物理から生まれるビジネスの種」  2019年2月 

Periodic Diamond Pattern Formation on Resist by Simple Orthogonally-Crossed Two Line-Scans of the Electron Beam 国際会議

K. Okada, T. Hioki, M. Ichimiya, and J. Yanagisawa

31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference  2018年11月 

60 keV Ar Ion Irradiation Effect on Ge(110) Surfaces 国際会議

R. Tsukamoto, M. Ichimiya, K. Takamiya, A. Kinomura, and J. Yanagisawa

31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference  2018年11月 

Ge(110)への60keVアルゴンイオン照射による表面形状効果

塚元隆太，一宮正義，高宮幸一，木野村淳，柳沢淳一

第79回 応用物理学会秋季学術講演会  2018年9月 

Oxidation of Si and Ti surfaces using Oxygen plasma treatment 国際会議

S. Koyama and J. Yanagisawa

The 14th International Symposium on Sputtering & Plasma Processes  2017年7月 

Formation of Nano-bump Structures of Si(100) Surfaces by Low-Energy Ga Ion Irradiation 国際会議

S. Suzue, Y. Matsui, and J. Yanagisawa

2016 International Microprocesses and Nanotechnology Conference  2016年11月 

酸素プラズマを用いた金属チタンの酸化による光触媒材料の形成

山田将司, 柳沢 淳一

応用物理学会関西支部平成27年度第3回講演会  2016年2月 

シリコンおよび窒化シリコン膜表面への低エネルギーガリウムイオン照射効果

山田将司, 松井 祐斗, 山田逸成, 柳沢 淳一

第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年9月 

Control of Size and Shape of Nano-Porous Structure Formed on Ge (110) Surface by High –Energy Focused Ga Ion Beam Irradiation 国際会議

M. Yamada and J. Yanagisawa

2014 International Microprocesses and Nanotechnology Conference  2014年11月 

Gaイオン照射した窒化シリコン薄膜へのGaN成長におけるイオン照射エネルギーの影響（II）

松井 祐斗, アザマト オシュラフノフ, 柳沢 淳一

第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年9月 

集束イオンビームを用いたオールドライプロセスによるマイクロ流路デバイス作製プロセスの検討

安達 正哲, 吉田 黎, 柳沢 淳一

第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年3月 

Deformable silicone grating fabricated with a photo-imprinted polymer mold 国際会議

T. Ishihara, I. Yamada, J. Yanagisawa, J. Nishii, and M. Saito

26th International Microprocesses and Nanotechnology Conference  2013年11月 

チタンの陽極酸化を利用した反射型偏光波長フィルタの作製と評価

横山遼, 山田逸成, 柳沢淳一

第22回日本光学会年次学術講演会  2013年11月 

干渉露光と陽極酸化による酸化チタン格子の形成と光学評価

横山遼, 山田逸成, 柳沢淳一

平成25年度応用物理学会九州支部学術講演会  2013年11月 

Fabrication of silicone grating using a photoimprinted polymer mold and period control by mechanical destortion 国際会議

T. Ishihara, I. Yamada, J. Yanagisawa, K. Koyama, T. Inoue, J. Nishii, and M. Saito

International Conference on Solid State Devices and Materials  2013年9月 

チタンの陽極酸化を利用した反射型偏光波長フィルタの作製

横山遼, 山田逸成, 柳沢淳一

第74回応用物理学会秋季学術講演会  2013年9月 

Gaイオン照射した窒化シリコン薄膜へのGaN成長におけるイオン照射エネルギーの影響

オシュラフノフ アザマト, 松井 祐斗, 佐藤 一成, 山本 喜之, 柳沢 淳一

第74回応用物理学会秋季学術講演会  2013年9月 

サブ波長周期構造を利用した反射型波長板の作製と評価

石原隆明, 山田逸成, 柳沢淳一

第74回応用物理学会秋季学術講演会  2013年9月 

サブ波長周期構造を利用した反射型波長板

石原隆明, 山田逸成, 柳沢淳一

第21回日本光学会年次学術講演会  2012年10月 

MOCVD による窒化シリコン膜上へのGaN 成長におけるイオン照射効果

柳沢淳一

第58回応用物理学関係連合講演会2011年春季  2011年3月 

Effect of Ion Implanted Damage on the Growth of Gallium Nitride on Silicon Nitride Surfaces　using Metal-Organic Chemical Vapor Deposition 国際会議

K. Ishiizumi, J. Kikkawa, Y. Nakamura, A. Sakai, and J. Yanagisawa

2010 International Microprocesses and Nanotechnology Conference  2010年11月 

Analysis of terahertz electromagnetic waves from undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures using a time-partitioning Fourier transform method

H. Takeuchi, S. Tsuruta, J. Yanagisawa, H. Yamada, M. Hata, and M. Nakayama

日本物理学会2010年秋季大会  2010年9月 

Frequency-tunable terahertz electromagnetic wave emitters based on undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures utilizing sub-picosecond-range carrier-transport processes 国際会議

Hideo Takeuchi, J. Yanagisawa, S. Tsuruta, H. Yamada, M. Hata, and M. Nakayama

The 17th International Conference on Dynamical Processes in Excited States of Solids (DPC'10)  2010年6月 

Simple strategy for enhancing terahertz emission from coherent longitudinal optical phonons using undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures 国際会議

Hideo Takeuchi , J. Yanagisawa, S. Tsuruta, H. Yamada, M. Hata, and M. Nakayama

The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ICSC2010)  2010年6月 

Polarity reversal of terahertz electromagnetic waves in GaAs-based dilute nitride epitaxial layers

H. Takeuchi , J. Yanagisawa, J. Hashimoto, and M. Nakayama

日本物理学会2010年春季大会  2010年3月 

Layer-thickness dependence on THz electromagnetic wave generation from i-GaAs/n -GaAs epitaxial structures

S. Tsuruta, H. Takeuchi , J. Yanagisawa, H. Yamada, M. Hata, and M. Nakayama

日本物理学会2010年春季大会  2010年3月 

Direction of the surface band bending in GaAs1-xNx investigated by terahertz electromagnetic wave and its quantification using photoreflectance measurements

H. Takeuchi, Jun Hashimoto, Junichi Yanagisawa, and Masaaki Nakayama

第20回光物性研究会  2009年12月 

Maskless formation of patterned gallium nitride layer on low-energy Ga-ion-implanted silicon nitride surface by metal-organic chemical vapor deposition 国際会議

K. Ishiizumi, J. Kikkawa, Y. Nakamura, A. Sakai, and J. Yanagisawa

22nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference  2009年11月 

Observation and quantification of the direction reversal of the surface band herebending in GaAs1-xNx using terahertz electromagnetic wave and photoreflectance measurements 国際会議

Hideo Takeuchi, Junichi Yanagisawa, Jun Hashimoto, and Masaaki Nakayama

The 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8)  2009年10月 

Generation of intense terahertz electromagnetic wave in undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures

H. Takeuchi, J. Yanagisawa, T. Hasegawa, and M. Nakayama

日本物理学会2009年秋季大会  2009年9月 

Surface modification of SiNx to GaN by Ga ion implantation to form a matrix for selective growth of GaN by MOCVD 国際会議

J. Yanagisawa, K. Ishiizumi, and A. Sakai

16th International Conference on Surface Modification of Materials by Ion Beams  2009年9月 

集束イオンビーム支援堆積法で形成したカーボン系薄膜の機械的特性のイオン種依存性

柳沢淳一

電気学会プラズマ・パルスパワー・放電合同研究会  2009年8月 

Direction reversal of the surface band bending in GaAs-based dilute nitride epitaxial layers investigated by polarity of terahertz electromagnetic waves 国際会議

Hideo Takeuchi, Junichi Yanagisawa, and Masaaki Nakayama

The 14th International Conference on Narrow Gap Semiconductors and Systems (NGSS-14)  2009年7月 

Fabrication of micro fluid channel structures by focused ion beam techniques 招待 国際会議

J. Yanagisawa, H. Kobayashi, K. Koreyama, and Y. Akasaka

The MRS 2009 Spring Meeting  2009年4月 

FIB-CVD法で作製したカーボン系堆積物におけるアニールの影響

楊卓真，酒井朗, 柳沢淳一

第56回応用物理学関係連合講演会2009年春季  2009年3月 

Gaイオン注入したシリコン窒化膜上へのMOCVDによるGaNの選択成長

石泉和也, 柳沢淳一, 酒井朗

第56回応用物理学関係連合講演会2009年春季  2009年3月 

集束イオンビームで形成した多孔質Ge表面構造のプラズマ処理による改質の可能性

柳沢淳一

電気学会プラズマ研究会  2008年12月 

Enhancement mechanism of terahertz electromagnetic wave emission in undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures

H. Takeuchi, J. Yanagisawa, T. Hasegawa, and M. Nakayama

第19回光物性研究会  2008年12月 

Annealing effect of deposited materials formed by focused Au or Si ion beam-induced chemical vapor deposition using phenanthrene 国際会議

T. Yo, H. Tanaka, T. Nagata, N. Fukata, T. Chikyow, A. Sakai, and J. Yanagisawa

21th International Microprocesses and Nanotechnology Conference  2008年10月 

Intense emission of THz electromagnetic wave from an undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structure 国際会議

Hideo Takeuchi, J. Yanagisawa, T. Hasegawa, and M. Nakayama

The 35th International Symposium on Compound Semiconductors (ICSC2008)  2008年9月 

Nano-indentation measurement of carbonaceous films formed by focused ion beam-induced chemical vapor deposition (FIB-CVD) using Au or Si ions with phenanthrene 国際会議

T. Yo, H. Tanaka, K. Nakamatsu, S. Matsui, A. Sakai, and J. Yanagisawa

16th International Conference on Ion Beam Modification of Materials  2008年8月 

半導体基礎

2009年4月 - 現在 機関名：滋賀県立大学

電子システム工学演習Ⅱ

2009年4月 - 2010年3月 機関名：滋賀県立大学

電子システム工学実験Ⅱ

2009年4月 - 2010年3月 機関名：滋賀県立大学

電子システム工学実験Ⅰ

2009年4月 - 2010年3月 機関名：滋賀県立大学

電子材料

2009年4月 - 2010年3月 機関名：滋賀県立大学

人間探求学

2009年4月 - 2010年3月 機関名：滋賀県立大学

電子社会と人間

2009年4月 - 2010年3月 機関名：滋賀県立大学

電子システム特論

2009年4月 - 2010年3月 機関名：滋賀県立大学

人間探求学

2008年4月 - 現在 機関名：滋賀県立大学

電子社会と人間

2008年4月 - 現在 機関名：滋賀県立大学

電子材料

2008年4月 - 2009年3月 機関名：滋賀県立大学

電子システム特論

2008年4月 - 2009年3月 機関名：滋賀県立大学