2024/05/23 更新

写真a

ヤナギサワ ジュンイチ
柳澤 淳一
YANAGISAWA Junichi
所属
先端工学研究院
部局
工学部 電子システム工学科
職名
教授
外部リンク

学歴

  • 大阪大学   基礎工学研究科   物理系専攻

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    修了課程: 博士課程

    国名: 日本国

  • 大阪府立大学   総合科学研究科   物質科学専攻

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    修了課程: 修士課程

    国名: 日本国

  • 信州大学   理学部   物理学科

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    国名: 日本国

学位

  • 工学博士 ( 1991年3月   大阪大学 )

  • 学術修士 ( 1988年3月   大阪府立大学 )

  • 理学士 ( 1986年3月   信州大学 )

研究キーワード

  • 半導体プロセス工学、イオンビーム工学

経歴

  • 滋賀県立大学   教授

    2008年4月 - 現在

  • 大阪大学大学院基礎工学研究科   准教授

    2007年4月 - 2008年3月

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    国名:日本国

  • 大阪大学大学院基礎工学研究科   助教授

    2003年4月 - 2007年3月

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    国名:日本国

  • 大阪大学大学院基礎工学研究科   講師

    1997年4月 - 2003年3月

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    国名:日本国

  • 大阪大学基礎工学部   助手

    1991年4月 - 1997年3月

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    国名:日本国

所属学協会

  • 日本表面真空学会

    2017年6月 - 現在

  • 日本物理教育学会

    2012年12月 - 現在

  • 日本高圧力学会

    2008年4月 - 現在

  • 応用物理学会

    2008年4月 - 現在

  • 日本物理学会

    2008年4月 - 現在

研究分野

  • ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電子デバイス、電子機器

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学

学会等における役職

  • 日本表面真空学会関西支部  幹事  その他役職   2018年4月 ~ 2021年3月

  • 応用物理学会  代議員  その他役職   2010年2月1日 ~ 2012年1月31日

  • 日本物理学会  京都支部委員  その他役職   2009年9月1日 ~ 2010年8月31日

  • 応用物理学会関西支部  特任幹事  その他役職   2009年4月1日 ~ 2010年3月31日

  • 日本物理学会  京都支部委員  その他役職   2008年9月1日 ~ 2009年8月31日

  • 応用物理学会関西支部  特任幹事  その他役職   2008年4月1日 ~ 2009年3月31日

  • 応用物理学会関西支部  リフレッシュ理科教室担当幹事  その他役職   2007年4月1日 ~ 2008年3月31日

  • 応用物理学会関西支部  幹事  その他役職   2006年4月1日 ~ 2007年3月31日

  • 応用物理学会関西支部  幹事  その他役職   2005年4月1日 ~ 2006年3月31日

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研究シーズ

  • イオンビームプロセスを主とした超微細加工技術の新展開

論文

  • Reflective waveplate with subwavelength grating structure

    Itsunari Yamada, Takaaki Ishihara and Junichi Yanagisawa

    Jpn. J. Appl. Phys.   54   092203-1 - 0922003-4   2015年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(副担当)  

  • Deformable Silicone Grating with Submicrometer Period

    T. Ishihara, I. Yamada, J. Yanagisawa, J. Nishii, and M. Saito

    Jpn. J. Appl. Phys.   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(副担当)  

  • Effect of Low-Energy Ga Ion Implantation on Selective Growth of Gallium Nitride Layer on Silicon Nitride Surfaces Using Metal Organic Chemical Vapor Deposition

    K. Ishiizumi, J. Kikkawa, Y. Nakamura, A. Sakai, and J. Yanagisawa

    Jpn. J. Appl. Phys.   50   06GC02   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(主担当)  

  • Frequency-tunable terahertz electromagnetic wave emitters based on undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures utilizing sub-picosecond-range carrier-transport processes

    Hideo Takeuchi , Junichi Yanagisawa, Shuichi Tsuruta, Hisashi Yamada, Makoto Hata, and Masaaki Nakayama

    Journal of Luminescence   131   531 - 534   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(副担当)  

  • Simple strategy for enhancing terahertz emission from coherent longitudinal optical phonons using undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures

    Hideo Takeuchi, Junichi Yanagisawa, Shuichi Tsuruta, Hishashi Yamada, Masahiko Hata, and Masaaki Nakayama

    Physica Status Solidi C   8   343 - 345   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(副担当)  

  • Direction reversal of the surface band bending in GaAs-based dilute nitride epitaxial layers investigated by polarity of terahertz electromagnetic waves

    H. Takeuchi, J. Yanagisawa, and M.Nakayama

    Physics Procedia   3   1109 - 1113   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(副担当)  

  • Frequency shift of terahertz electromagnetic waves originating from sub-picosecond-range carrier transport in undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures

    Hideo Takeuchi, Junichi Yanagisawa, Shuichi Tsuruta, Hisashi Yamada, Makoto Hata, and Masaaki Nakayama

    Japanese Journal of Applied Physics   49   082001 1-5   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(副担当)  

  • Observation and quantification of the direction reversal of the surface band bending in GaAs1-xNx using terahertz electromagnetic wave and photoreflectance measurements

    Hideo Takeuchi, Junichi Yanagisawa, Jun Hashimoto, and Masaaki Nakayama

    Physica Status Solidi C   7   1844 - 1846   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(副担当)  

  • 集束イオンビーム支援堆積法で形成したカーボン系薄膜の機械的特性

    柳沢淳一

    電気学会論文誌A   130   949 - 954   2010年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Effect of Annealing on Mechanical Properties of Materials Formed by Focused Au or Si Ion-Beam-Induced Chemical Vapor Deposition Using Phenanthrene

    T. Yo, H. Tanaka, T. Nagata, N. Fukata, T. Chikyow, A. Sakai, and J. Yanagisawa

    Jpn. J. Appl. Phys.   48   06FB03   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(主担当)  

  • Fabrication of micro-fluid-channel structures by focused ion beam technique 招待

    J. Yanagisawa, H. Kobayashi, K. Koreyama, and Y. Akasaka

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   1181   1181-DD03-01   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   参加形態:共同(主担当)  

  • Intense emission of terahertz electromagnetic wave from an undoped GaAs/n -type GaAs epitaxial layer structure

    H. Takeuchi, J. Yanagisawa, T. Hasegawa, and M. Nakayama

    Physica Status Solidi ©   6   1513 - 1516   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(副担当)  

  • Effects of nitrogen incorporation on a direction of a surface band bending investigated by polarity of terahertz electromagnetic waves in GaAs(1-x)N(x) epitaxial layers

    H. Takeuchi, J. Yanagisawa, J. Hashimoto, and M. Nakayama

    J. Appl. Phys.   105   093539   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(副担当)  

  • Characterization of Deposited Materials Formed by Focused Ion Beam-Induced Chemical Vapor Deposition Using AuSi Alloyed Metal Source

    T. Yo, H. Tanaka, K. Koreyama, T. Nagata, Y. Sakuma, K. Nakajima, T. Chikyow, J. Yanagisawa, and A. Sakai

    Jpn. J. Appl. Phys.   47   5018 - 5021   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(主担当)  

  • Enhancement of terahertz electromagnetic wave emission from an undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structure

    H. Takeuchi, J. Yanagisawa, T. Hasegawa, and M. Nakayama

    Appl. Phys. Lett.   93   081916   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(副担当)  

  • Effects of Ga ion irradiation on growth of GaN on SiN substrates by electron cyclotron resonance-assisted molecular beam epitaxy

    J. Yanagisawa, H. Matsumoto, T. Fukuyama, Y. Shiraishi, T. Yodo, and Y. Akasaka

    Nucl. Instr. and Meth. B   257   348 - 351   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(主担当)  

  • Deposition of carbonaceous structures using focused Au and Si ion-beam-induced chemical vapor deposition methods

    R. Okada, T. Yo, J. Yanagisawa, and S. Matsui

    J. Vac. Sci. Technol. B   25   2180 - 2183   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(主担当)  

  • Nano-porous structure formations on germanium surfaces by focused ion beam irradiations

    J. Yanagisawa, K. Takarabe, K. Ogushi, K. Gamo, and Y. Akasaka

    J. Phys.: Condens. Matter   19   445002   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(主担当)  

  • Formation of local ferromagnetic areas on GaAs by focused Mn ion beam implantation

    M. Kasai, J. Yanagisawa, H. Tanaka, S. Hasegawa, H. Asahi, K. Gamo, and Y. Akasaka

    Nucl. Instr. and Meth. B   242   240 - 243   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(主担当)  

  • Formation and characterization of swelled nano-porous structures on ion-irradiated Ge surfaces

    J. Yanagisawa, K. Ogushi, K. Takarabe, K. Gamo, and Y. Akasaka

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   908E   0908-OO11-04.1   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   参加形態:共同(主担当)  

  • Formation of GaN layer on SiN surface using low-energy Ga ion implantation

    J. Yanagisawa, M. Toda, T. Kitamura, H. Matsumoto, and Y. Akasaka

    J. Vac. Sci. Technol. B   23   3205 - 3208   2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(主担当)  

  • Formation of GaN films by Ga ion direct deposition under nitrogen radical atmosphere

    M. Toda, J. Yanagisawa, K. Gamo, and Y. Akasaka

    J. Vac. Sci. Technol. B   22   3012 - 3015   2004年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(主担当)  

  • Maskless Mn implantation in GaAs using focused Mn ion beam

    M. Itou, M. Kasai, T. Kimura, J. Yanagisawa, F. Wakaya, Y. Yuba, and K. Gamo

    Nucl. Instr. and Meth. B   206   1013 - 1017   2003年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(主担当)  

  • In situ Si Doping in GaAs using Low-energy Focused Si Ion Beam/Molecular Beam Epitaxy Combined System

    K. Kubo, J. Yanagisawa, F. Wakaya, Y. Yuba, and K. Gamo

    Proc. of 17th International Conference on the Application of Accelerators in Research and Industry   662 - 665   2003年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   参加形態:共同(主担当)  

  • Carrier activation in in situ Si-doped GaAs layers fabricated by a focused Si ion beam and molecular beam epitaxy combined system

    T. Hada, H. Miyamoto, J. Yanagisawa, F. Wakaya, Y. Yuba, and K. Gamo

    Nucl. Instr. and Meth. B   175-177   751 - 755   2001年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(主担当)  

  • Formation of narrow grooves on thin metal layer by focused ion beam etching

    M. Yoshida, S. Murakami, M. Nakayama, J. Yanagisawa, F. Wakaya, T. Kaito, and K. Gamo

    Microelectronic Engineering   57-58   877 - 882   2001年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(主担当)  

  • Carrier distribution profiles in Si-doped layers in GaAs formed by focused ion beam implantation and successive overlayer growth

    T. Hada, T. Goto, J. Yanagisawa, F. Wakaya, Y. Yuba, and K. Gamo

    J. Vac. Sci. Technol. B   18   3158 - 3161   2000年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(主担当)  

  • Galvanomagnetic effect of submicron exchange-coupled Co/Ni wire

    T. Kimura, F. Wakaya, J. Yanagisawa, Y. Yuba, K. Gamo

    Jpn. J. Appl. Phys.   39   6526 - 6529   2000年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(副担当)  

  • Magnetization process and resistance jumps in a submicron-scale cross-shaped Co wire

    T. Kimura, F. Wakaya, J. Yanagisawa, Y. Yuba, and K. Gamo

    J. Mag. Mag. Mat.   222   79 - 85   2000年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(副担当)  

  • Metastable domain structures of ferromagnetic microstructures observed by soft x-ray magnetic circular dichroism microscopy

    S. Imada, S. Ueda, R. Jung, Y. Saitoh, M. Kotsugi, W. Kuch, J. Gilles, S. Kang, F. Offi, J. Kirschner, H. Daimon, T. Kimura, J. Yanagisawa, K. Gamo, and S. Suga

    Jpn. J. Appl. Phys., Part 2   39   L585 - L587   2000年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(副担当)  

  • Carier profiles and electron traps at a growth-interrupted layer in GaAs fabricated by a focused ion beam and molecular beam epitaxy combined system

    T. Goto, T. Hada, J. Yanagisawa, F. Wakaya, Y. Yuba, and K. Gamo

    Appl. Surface Sci.   159-160   277 - 281   2000年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(主担当)  

  • Low-energy focused Si ion beam deposition under oxygen atmosphere

    J. Yanagisawa, Y. Wang, T. Hada, K. Murase, and K. Gamo

    Nucl. Instr. and Meth. B   148   42 - 46   1999年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(主担当)  

  • Exchange interaction from current and voltage probes in galvanomagnetic effect in polycrystal Co thin film

    T. Kimura, F. Wakaya, J. Yanagisawa, Y. Yuba, and K. Gamo

    Jpn. J. Appl. Phys.   38   4737 - 4740   1999年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(副担当)  

  • Focused ion beam process for formation of a metal/insulator/metal double tunnel junction

    M. Nakayama, J. Yanagisawa, F. Wakaya, and K. Gamo

    Jpn. J. Appl. Phys.   38   7151 - 7154   1999年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(主担当)  

  • Carrier profile of the Si-doped layer in GaAs fabricated by a low-energy focused ion beam/molecular beam epitaxy combined system

    J. Yanagisawa, T. Goto, T. Hada, M. Nakai, F. Wakaya, Y. Yuba, and K. Gamo

    J. Vac. Sci. Technol. B   17   3072 - 3074   1999年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(主担当)  

  • Interface states induced in GaAs by growth interruption during an in situ process

    F. Wakaya, T. Matsubara, M. Nakayama, J. Yanagisawa, Y. Yuba, S. Takaoka, K. Murase, and K. Gamo

    J. Vac. Sci. Technol. B   16   2313 - 2316   1998年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(副担当)  

  • Effects of growth interruption in in situ process for buried quantum structures

    F. Wakaya, T. Matsubara, M. Nakayama, J. Yanagisawa, Y. Yuba, S. Takaoka, K. Murase, and K. Gamo

    Microelectronic Engineering   41/42   591 - 594   1998年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(副担当)  

  • Focused ion beam etching of resist/Ni multilayer films and applications to metal island structure formation

    M. Nakayama, F. Wakaya, J. Yanagisawa, and K. Gamo

    J. Vac. Sci. Technol. B   16   2511 - 2514   1998年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(主担当)  

  • Direct deposition of silicon and silicon-oxide films using low-energy Si focused ion beam

    J. Yanagisawa, H. Nakayama, O. Matsuda, K. Murase, and K. Gamo

    Nucl. Instr. Methods B   127/128   893 - 896   1997年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(主担当)  

  • Fabrication of buried quantum structures using FIB-MBE total vacuum process

    F. Wakaya, J. Yanagisawa, T. Matsubara, H. Nakayama, Y. Yuba, S. Takaoka, K. Murase, and K. Gamo

    Microelectronic Engineering   35   451 - 454   1997年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(副担当)  

  • Characterization of laterally selected Si doped layer formed in GaAs using a low-energy FIB-MBE combined system

    H. Nakayama, J. Yanagisawa, F. Wakaya, Y. Yuba, S. Takaoka, K. Murase, and K. Gamo

    Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   438   187 - 192   1997年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   参加形態:共同(主担当)  

  • Characterization of Si-doped layer in GaAs fabricated by a focused ion beam/molecular beam epitaxy combined system

    J. Yanagisawa, H. Nakayama, K. Oka, M. Nakai, F. Wakaya, Y. Yuba, S. Takaoka, K. Murase, and K. Gamo

    J. Vac. Sci. Technol. B   15   2930 - 2933   1997年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(主担当)  

  • Formation of buried two-dimensional electron gas in GaAs by Si ion doping using MBE-FIB combined system

    J. Yanagisawa, H. Nakayama, F. Wakaya, Y. Yuba, and K. Gamo

    Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   396   701 - 705   1996年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   参加形態:共同(主担当)  

  • Investigation of growth interruption in the UHV total vacuum process for buried quantum structures

    F. Wakaya, T. Matsubara, J. Yanagisawa, Y. Yuba, S. Takaoka, K. Murase, and K. Gamo

    Microelectronic Engineering   30   475 - 478   1996年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(副担当)  

  • Effects of growth interruption and FIB implantation in the UHV total vacuum process for the buried mesoscopic structures

    F. Wakaya, T. Matsubara, H. Nakayama, Y. Yanagisawa, Y. Yuba, S. Takaoka, K. Murase, and K. Gamo

    Physica B   227   268 - 270   1996年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(副担当)  

  • Characterization of directly deposited silicon films using low-energy focused ion beam

    J. Yanagisawa, N. Onishi, H. Nakayama, and K. Gamo

    Jpn. J. Appl. Phys.   35   6584 - 6587   1996年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(主担当)  

  • Fabrication of laterally selected Si doped layer in GaAs using a low-energy focused ion beam/molecular beam epitaxy combined system

    J. Yanagisawa, H. Nakayama, F. Wakaya, Y. Yuba, and K. Gamo

    J. Vac. Sci. Technol. B   14   3938 - 3941   1996年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(主担当)  

  • Low-energy focused ion beam system and direct deposition of Au and Si

    J. Yanagisawa, K. Kito, K. Monden, and K. Gamo

    J. Vac. Sci. Technol. B   13   2621 - 2624   1995年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(主担当)  

  • Transport properties and fabrication of coupled electron waveguides

    F. Wakaya, H. Otoi, J. Yanagisawa, Y. Yuba, S. Takaoka, K. Murase, K. Gamo, D. G. Hasko, G. A. C. Jones, and H. Ahmed

    Jpn. J. Appl. Phys.   34   4446 - 448   1995年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(副担当)  

  • Flux dependence of implantation damage in GaAs induced by focused gallium ion beam

    M. Takai, S. Hara, T. Kishimoto, and J. Yanagisawa

    Proc. Ion Implantation Technology-94   856 - 859   1995年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   参加形態:共同(副担当)  

  • Nuclear microprobe analysis of implantation damage induced by focused gallium ion beams in GaAs

    M. Takai, S. Hara, T. Kishimoto, and J. Yanagisawa

    Nucl. Instr. Methods B   104   524 - 527   1995年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(副担当)  

  • Low energy ion irradiation effect on electron transport in GaAs/AlGaAs heterostructures

    J. Yanagisawa, A. Nozawa, Y. Yuba, S. Takaoka, K. Murase, and K. Gamo

    Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   354   165 - 170   1995年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   参加形態:共同(主担当)  

  • Low energy focused ion beam system combined with molecular beam epitaxy system for fabrication of 3-dimensional buried semiconductor structures

    J. Yanagisawa, K. Kito, K. Monden, and K. Gamo

    Proc. SPIE (Electron-Beam Sources and Charged-Particle Optics)   2522   406 - 411   1995年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   参加形態:共同(主担当)  

  • Maskless deposition of Au on GaAs by low-energy focused ion beam

    K. Kito, J. Yanagisawa, K. Monden, H. Nakayama, Y. Yuba, and K. Gamo

    Jpn. J. Appl. Phys.   34   6853 - 6856   1995年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(主担当)  

  • Low energy focused ion beam and buried electron waveguides fabrication

    F. Wakaya, A. Nozawa, J. Yanagisawa, Y. Yuba, S. Takaoka, K. Murase, and K. Gamo

    Microelectronic Engineering   23   123 - 126   1994年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(副担当)  

  • Investigation of in situ process for GaAs/AlGaAs buried quantum wires

    F. Wakaya, K. Umeda, J. Yanagisawa, Y. Yuba, S. Takaoka, K. Murase, and K. Gamo

    Jpn. J. Appl. Phys.   33   7223 - 7227   1994年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(副担当)  

  • Ion beam irradiation effect on solubility of spin-on glass to methanol

    J. Yanagisawa, Y.-B. Koh, and K. Gamo

    Nucl. Instr. Methods B   80/81   1128 - 1131   1993年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(主担当)  

  • Estimation of damage induced by focused Ga ion beam irradiation

    T. Yamamoto, J. Yanagisawa, K. Gamo, S. Takaoka, and K. Murase

    Jpn. J. Appl. Phys.   32   6268 - 6273   1993年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(主担当)  

  • Direct patterning of spin-on glass by focused ion beam irradiation

    Y.-B. Koh, T. Goto, J. Yanagisawa, and K. Gamo

    Jpn. J. Appl. Phys.   31   4479 - 4482   1992年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(副担当)  

  • Analysis of high energy ion scattering for the Si(111)7x7 DAS model by computer simulation

    J. Yanagisawa and A. Yoshimori

    Surface Sci.   231   297 - 303   1990年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   参加形態:共同(主担当)  

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書籍等出版物

  • GaNパワーデバイスの技術展開

    江川孝志, 他( 担当: 分担執筆)

    サイエンス&テクノロジー(株)  2012年4月 

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    総ページ数:10   記述言語:日本語   著書種別:学術書

  • ナノバイオ大事典

    山根恒夫, 松永是, 民谷栄一 監修( 担当: 共著)

    株式会社テクノシステム  2007年1月 

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    総ページ数:3   記述言語:日本語   著書種別:学術書

産業財産権

  • 窒化物半導体成長用基板

    佐藤一成, 山本喜之, 柳沢淳一

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    出願番号:特願2013-176635  出願日:2013年8月

    特許番号/登録番号:特許第6181474号  登録日:2017年7月  発行日:2017年7月

    出願国:国内  

  • 窒化ガリウム成長用基板及びその製造方法

    柳澤 淳一

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    出願番号:特願2005-90957  出願日:2005年3月

    出願国:国内  

  • 検査リペア装置

    柳澤 淳一

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    特許番号/登録番号:特開2006-269636   登録日:2005年3月  発行日:2005年3月

    出願国:国内  

共同研究・競争的資金等の研究課題

  • 集束イオンビームによるバイオチップ加工

    2003年4月 - 現在

    経常研究  集束イオンビーム、バイオチップ、マスクレス加工

  • 低エネルギーイオンビームプロセスに関する研究

    1993年4月 - 現在

    経常研究  シリコン、シリコン酸化物、薄膜、窒化ガリウム

  • 半導体極微構造加工に関する研究

    1991年4月 - 現在

    経常研究  極微加工、半導体極微構造

講演・口頭発表等

  • Fabrication and Evaluation of Resistive Switching Devices Utilizing Selective Surface Oxide Films of Liquid Metal Alloys 国際会議

    Yuto Katsuma, Takahiko Ban, Masayoshi Ichimiya, Junichi Yanagisawa and Shin-ichi Yamamoto

    The 2023 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2023)  2023年11月 

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    開催年月日: 2023年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  • Heat Treatment Dependence and Electrical Characterization of Resistive Switching Devices Using Liquid Metal 国際会議

    Yuusuke Hirano, Takahiko Ban, Masayoshi Ichimiya, Junichi Yanagisawa and Shin-ichi Yamamoto

    The 2023 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2023)  2023年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  • プラズマ照射したSi表面近傍の陽電子消滅法による評価

    重定瑠士,一宮正義,番 貴彦,薮内 敦,木野村淳,柳澤淳一

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • 基板に成膜したアモルファスGe薄膜への低エネルギー電子ビーム照射による爆発的結晶化

    坂元 響,仲村龍介,柳澤 淳一,佐道泰造

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • MBE法によるCaF2基板上へのCuClサブミクロン薄膜の作製

    小倉達貴,一宮正義,番貴彦,柳澤淳一

    日本物理学会第78回年次大会  2023年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • 高結晶品質GaP薄膜の成膜法の検討と表面構造評価

    山本純也,一宮正義,番貴彦,柳澤淳一

    日本物理学会第78回年次大会  2023年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • Au-Siイオン照射で形成されるSiO2表面のナノ構造を利用したAuナノ粒子の形成

    内田 真裕人,一宮 正義,番 貴彦,柳澤 淳一

    第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年3月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • 高効率な光触媒効果の発現を目指した金属チタン表面の参加方法の検討と評価

    中翔馬,一宮正義,柳澤淳一

    応用物理学会関西支部第1回+第2回合同講演会  2021年1月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  • AuSiイオン源からのAuおよびSiイオン同時照射と大気中での熱処理による石英ガラス基板内へのAuナノ粒子の形成

    清水洋,一宮正義,柳澤淳一

    応用物理学会関西支部第1回+第2回合同講演会  2021年1月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  • Formation of Au nano-particles by Au and Si ion implantation on SiO2 films using Au-Si alloyed liquid metal ion source and thermal annealing under atmosphere 国際会議

    Y. Okanishi, H. Shimizu, M. Ichimiya, and J. Yanagisawa

    32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference  2019年10月 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • Ge(110)表面への低エネルギーArイオン照射効果と陽電子消滅を用いた表面構造の研究

    塚元隆太,一宮正義,薮内敦,高宮幸一,木野村淳,柳沢淳一

    第80回 応用物理学会秋季学術講演会  2019年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • Au-Si共晶合金イオン源を用いたイオン注入によるシリコン酸化膜内での金ナノ粒子の形成と評価

    岡西 裕太,一宮 正義,柳沢 淳一

    第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • Au-Si共晶合金イオン源を用いたイオン注入によるSiO2薄膜内でのAuナノ粒子の形成プロセスの提案と反射率の評価

    岡西 裕太,一宮 正義,柳沢 淳一

    応用物理学会関西支部平成30年度第3回講演会「応用物理から生まれるビジネスの種」  2019年2月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  • Periodic Diamond Pattern Formation on Resist by Simple Orthogonally-Crossed Two Line-Scans of the Electron Beam 国際会議

    K. Okada, T. Hioki, M. Ichimiya, and J. Yanagisawa

    31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference  2018年11月 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  • 60 keV Ar Ion Irradiation Effect on Ge(110) Surfaces 国際会議

    R. Tsukamoto, M. Ichimiya, K. Takamiya, A. Kinomura, and J. Yanagisawa

    31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference  2018年11月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  • Ge(110)への60keVアルゴンイオン照射による表面形状効果

    塚元隆太,一宮正義,高宮幸一,木野村淳,柳沢淳一

    第79回 応用物理学会秋季学術講演会  2018年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • Oxidation of Si and Ti surfaces using Oxygen plasma treatment 国際会議

    S. Koyama and J. Yanagisawa

    The 14th International Symposium on Sputtering & Plasma Processes  2017年7月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  • Formation of Nano-bump Structures of Si(100) Surfaces by Low-Energy Ga Ion Irradiation 国際会議

    S. Suzue, Y. Matsui, and J. Yanagisawa

    2016 International Microprocesses and Nanotechnology Conference  2016年11月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  • 酸素プラズマを用いた金属チタンの酸化による光触媒材料の形成

    山田将司, 柳沢 淳一

    応用物理学会関西支部平成27年度第3回講演会  2016年2月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  • シリコンおよび窒化シリコン膜表面への低エネルギーガリウムイオン照射効果

    山田将司, 松井 祐斗, 山田逸成, 柳沢 淳一

    第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • Control of Size and Shape of Nano-Porous Structure Formed on Ge (110) Surface by High –Energy Focused Ga Ion Beam Irradiation 国際会議

    M. Yamada and J. Yanagisawa

    2014 International Microprocesses and Nanotechnology Conference  2014年11月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  • Gaイオン照射した窒化シリコン薄膜へのGaN成長におけるイオン照射エネルギーの影響(II)

    松井 祐斗, アザマト オシュラフノフ, 柳沢 淳一

    第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • 集束イオンビームを用いたオールドライプロセスによるマイクロ流路デバイス作製プロセスの検討

    安達 正哲, 吉田 黎, 柳沢 淳一

    第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • Deformable silicone grating fabricated with a photo-imprinted polymer mold 国際会議

    T. Ishihara, I. Yamada, J. Yanagisawa, J. Nishii, and M. Saito

    26th International Microprocesses and Nanotechnology Conference  2013年11月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  • チタンの陽極酸化を利用した反射型偏光波長フィルタの作製と評価

    横山遼, 山田逸成, 柳沢淳一

    第22回日本光学会年次学術講演会  2013年11月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • 干渉露光と陽極酸化による酸化チタン格子の形成と光学評価

    横山遼, 山田逸成, 柳沢淳一

    平成25年度応用物理学会九州支部学術講演会  2013年11月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • Fabrication of silicone grating using a photoimprinted polymer mold and period control by mechanical destortion 国際会議

    T. Ishihara, I. Yamada, J. Yanagisawa, K. Koyama, T. Inoue, J. Nishii, and M. Saito

    International Conference on Solid State Devices and Materials  2013年9月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  • チタンの陽極酸化を利用した反射型偏光波長フィルタの作製

    横山遼, 山田逸成, 柳沢淳一

    第74回応用物理学会秋季学術講演会  2013年9月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • Gaイオン照射した窒化シリコン薄膜へのGaN成長におけるイオン照射エネルギーの影響

    オシュラフノフ アザマト, 松井 祐斗, 佐藤 一成, 山本 喜之, 柳沢 淳一

    第74回応用物理学会秋季学術講演会  2013年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • サブ波長周期構造を利用した反射型波長板の作製と評価

    石原隆明, 山田逸成, 柳沢淳一

    第74回応用物理学会秋季学術講演会  2013年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • サブ波長周期構造を利用した反射型波長板

    石原隆明, 山田逸成, 柳沢淳一

    第21回日本光学会年次学術講演会  2012年10月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • MOCVD による窒化シリコン膜上へのGaN 成長におけるイオン照射効果

    柳沢淳一

    第58回応用物理学関係連合講演会2011年春季  2011年3月 

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    記述言語:日本語  

  • Effect of Ion Implanted Damage on the Growth of Gallium Nitride on Silicon Nitride Surfaces using Metal-Organic Chemical Vapor Deposition 国際会議

    K. Ishiizumi, J. Kikkawa, Y. Nakamura, A. Sakai, and J. Yanagisawa

    2010 International Microprocesses and Nanotechnology Conference  2010年11月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  • Analysis of terahertz electromagnetic waves from undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures using a time-partitioning Fourier transform method

    H. Takeuchi, S. Tsuruta, J. Yanagisawa, H. Yamada, M. Hata, and M. Nakayama

    日本物理学会2010年秋季大会  2010年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • Frequency-tunable terahertz electromagnetic wave emitters based on undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures utilizing sub-picosecond-range carrier-transport processes 国際会議

    Hideo Takeuchi, J. Yanagisawa, S. Tsuruta, H. Yamada, M. Hata, and M. Nakayama

    The 17th International Conference on Dynamical Processes in Excited States of Solids (DPC'10)  2010年6月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  • Simple strategy for enhancing terahertz emission from coherent longitudinal optical phonons using undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures 国際会議

    Hideo Takeuchi , J. Yanagisawa, S. Tsuruta, H. Yamada, M. Hata, and M. Nakayama

    The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ICSC2010)  2010年6月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  • Polarity reversal of terahertz electromagnetic waves in GaAs-based dilute nitride epitaxial layers

    H. Takeuchi , J. Yanagisawa, J. Hashimoto, and M. Nakayama

    日本物理学会2010年春季大会  2010年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • Layer-thickness dependence on THz electromagnetic wave generation from i-GaAs/n -GaAs epitaxial structures

    S. Tsuruta, H. Takeuchi , J. Yanagisawa, H. Yamada, M. Hata, and M. Nakayama

    日本物理学会2010年春季大会  2010年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • Direction of the surface band bending in GaAs1-xNx investigated by terahertz electromagnetic wave and its quantification using photoreflectance measurements

    H. Takeuchi, Jun Hashimoto, Junichi Yanagisawa, and Masaaki Nakayama

    第20回光物性研究会  2009年12月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • Maskless formation of patterned gallium nitride layer on low-energy Ga-ion-implanted silicon nitride surface by metal-organic chemical vapor deposition 国際会議

    K. Ishiizumi, J. Kikkawa, Y. Nakamura, A. Sakai, and J. Yanagisawa

    22nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference  2009年11月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  • Observation and quantification of the direction reversal of the surface band herebending in GaAs1-xNx using terahertz electromagnetic wave and photoreflectance measurements 国際会議

    Hideo Takeuchi, Junichi Yanagisawa, Jun Hashimoto, and Masaaki Nakayama

    The 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8)  2009年10月 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  • Generation of intense terahertz electromagnetic wave in undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures

    H. Takeuchi, J. Yanagisawa, T. Hasegawa, and M. Nakayama

    日本物理学会2009年秋季大会  2009年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • Surface modification of SiNx to GaN by Ga ion implantation to form a matrix for selective growth of GaN by MOCVD 国際会議

    J. Yanagisawa, K. Ishiizumi, and A. Sakai

    16th International Conference on Surface Modification of Materials by Ion Beams  2009年9月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  • 集束イオンビーム支援堆積法で形成したカーボン系薄膜の機械的特性のイオン種依存性

    柳沢淳一

    電気学会プラズマ・パルスパワー・放電合同研究会  2009年8月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • Direction reversal of the surface band bending in GaAs-based dilute nitride epitaxial layers investigated by polarity of terahertz electromagnetic waves 国際会議

    Hideo Takeuchi, Junichi Yanagisawa, and Masaaki Nakayama

    The 14th International Conference on Narrow Gap Semiconductors and Systems (NGSS-14)  2009年7月 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • Fabrication of micro fluid channel structures by focused ion beam techniques 招待 国際会議

    J. Yanagisawa, H. Kobayashi, K. Koreyama, and Y. Akasaka

    The MRS 2009 Spring Meeting  2009年4月 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  • FIB-CVD法で作製したカーボン系堆積物におけるアニールの影響

    楊卓真,酒井朗, 柳沢淳一

    第56回応用物理学関係連合講演会2009年春季  2009年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • Gaイオン注入したシリコン窒化膜上へのMOCVDによるGaNの選択成長

    石泉和也, 柳沢淳一, 酒井朗

    第56回応用物理学関係連合講演会2009年春季  2009年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • 集束イオンビームで形成した多孔質Ge表面構造のプラズマ処理による改質の可能性

    柳沢淳一

    電気学会プラズマ研究会  2008年12月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • Enhancement mechanism of terahertz electromagnetic wave emission in undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures

    H. Takeuchi, J. Yanagisawa, T. Hasegawa, and M. Nakayama

    第19回光物性研究会  2008年12月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • Annealing effect of deposited materials formed by focused Au or Si ion beam-induced chemical vapor deposition using phenanthrene 国際会議

    T. Yo, H. Tanaka, T. Nagata, N. Fukata, T. Chikyow, A. Sakai, and J. Yanagisawa

    21th International Microprocesses and Nanotechnology Conference  2008年10月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  • Intense emission of THz electromagnetic wave from an undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structure 国際会議

    Hideo Takeuchi, J. Yanagisawa, T. Hasegawa, and M. Nakayama

    The 35th International Symposium on Compound Semiconductors (ICSC2008)  2008年9月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  • Nano-indentation measurement of carbonaceous films formed by focused ion beam-induced chemical vapor deposition (FIB-CVD) using Au or Si ions with phenanthrene 国際会議

    T. Yo, H. Tanaka, K. Nakamatsu, S. Matsui, A. Sakai, and J. Yanagisawa

    16th International Conference on Ion Beam Modification of Materials  2008年8月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

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担当経験のある科目(授業)

  • 基礎電磁気学(機械)

    2020年4月 - 現在 機関名:滋賀県立大学

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    科目区分:学部専門科目 

  • テクニカルコミュニケーション

    2016年4月 - 現在 機関名:滋賀県立大学

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    科目区分:大学院全学共通科目 

  • 荷電粒子ビーム工学

    2012年4月 - 現在 機関名:滋賀県立大学

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    科目区分:大学院専門科目 

  • 電子デバイス

    2010年4月 - 現在 機関名:滋賀県立大学

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    科目区分:学部専門科目 

  • 量子力学概論

    2009年4月 - 現在 機関名:滋賀県立大学

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    科目区分:学部専門科目 

  • 半導体基礎

    2009年4月 - 現在 機関名:滋賀県立大学

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    科目区分:学部専門科目 

  • 電子システム工学演習Ⅱ

    2009年4月 - 2010年3月 機関名:滋賀県立大学

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    科目区分:学部専門科目 

  • 電子システム工学実験Ⅱ

    2009年4月 - 2010年3月 機関名:滋賀県立大学

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    科目区分:学部専門科目 

  • 電子システム工学実験Ⅰ

    2009年4月 - 2010年3月 機関名:滋賀県立大学

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    科目区分:学部専門科目 

  • 電子材料

    2009年4月 - 2010年3月 機関名:滋賀県立大学

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    科目区分:学部専門科目 

  • 人間探求学

    2009年4月 - 2010年3月 機関名:滋賀県立大学

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    科目区分:学部全学共通科目 

  • 電子社会と人間

    2009年4月 - 2010年3月 機関名:滋賀県立大学

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    科目区分:学部全学共通科目 

  • 電子システム特論

    2009年4月 - 2010年3月 機関名:滋賀県立大学

  • 人間探求学

    2008年4月 - 現在 機関名:滋賀県立大学

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    科目区分:学部全学共通科目 

  • 電子社会と人間

    2008年4月 - 現在 機関名:滋賀県立大学

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    科目区分:学部全学共通科目 

  • 電子材料

    2008年4月 - 2009年3月 機関名:滋賀県立大学

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    科目区分:学部専門科目 

  • 電子システム特論

    2008年4月 - 2009年3月 機関名:滋賀県立大学

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