講演・口頭発表等 - 柳澤 淳一
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Control of Size and Shape of Nano-Porous Structure Formed on Ge (110) Surface by High –Energy Focused Ga Ion Beam Irradiation 国際会議
M. Yamada and J. Yanagisawa
2014 International Microprocesses and Nanotechnology Conference 2014年11月
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Gaイオン照射した窒化シリコン薄膜へのGaN成長におけるイオン照射エネルギーの影響（II）
松井 祐斗, アザマト オシュラフノフ, 柳沢 淳一
第75回応用物理学会秋季学術講演会 2014年9月
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集束イオンビームを用いたオールドライプロセスによるマイクロ流路デバイス作製プロセスの検討
安達 正哲, 吉田 黎, 柳沢 淳一
第61回応用物理学会春季学術講演会 2014年3月
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Deformable silicone grating fabricated with a photo-imprinted polymer mold 国際会議
T. Ishihara, I. Yamada, J. Yanagisawa, J. Nishii, and M. Saito
26th International Microprocesses and Nanotechnology Conference 2013年11月
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チタンの陽極酸化を利用した反射型偏光波長フィルタの作製と評価
横山遼, 山田逸成, 柳沢淳一
第22回日本光学会年次学術講演会 2013年11月
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干渉露光と陽極酸化による酸化チタン格子の形成と光学評価
横山遼, 山田逸成, 柳沢淳一
平成25年度応用物理学会九州支部学術講演会 2013年11月
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Fabrication of silicone grating using a photoimprinted polymer mold and period control by mechanical destortion 国際会議
T. Ishihara, I. Yamada, J. Yanagisawa, K. Koyama, T. Inoue, J. Nishii, and M. Saito
International Conference on Solid State Devices and Materials 2013年9月
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チタンの陽極酸化を利用した反射型偏光波長フィルタの作製
横山遼, 山田逸成, 柳沢淳一
第74回応用物理学会秋季学術講演会 2013年9月
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Gaイオン照射した窒化シリコン薄膜へのGaN成長におけるイオン照射エネルギーの影響
オシュラフノフ アザマト, 松井 祐斗, 佐藤 一成, 山本 喜之, 柳沢 淳一
第74回応用物理学会秋季学術講演会 2013年9月
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サブ波長周期構造を利用した反射型波長板の作製と評価
石原隆明, 山田逸成, 柳沢淳一
第74回応用物理学会秋季学術講演会 2013年9月
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サブ波長周期構造を利用した反射型波長板
石原隆明, 山田逸成, 柳沢淳一
第21回日本光学会年次学術講演会 2012年10月
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MOCVD による窒化シリコン膜上へのGaN 成長におけるイオン照射効果
柳沢淳一
第58回応用物理学関係連合講演会2011年春季 2011年3月
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Effect of Ion Implanted Damage on the Growth of Gallium Nitride on Silicon Nitride Surfaces using Metal-Organic Chemical Vapor Deposition 国際会議
K. Ishiizumi, J. Kikkawa, Y. Nakamura, A. Sakai, and J. Yanagisawa
2010 International Microprocesses and Nanotechnology Conference 2010年11月
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Analysis of terahertz electromagnetic waves from undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures using a time-partitioning Fourier transform method
H. Takeuchi, S. Tsuruta, J. Yanagisawa, H. Yamada, M. Hata, and M. Nakayama
日本物理学会2010年秋季大会 2010年9月
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Frequency-tunable terahertz electromagnetic wave emitters based on undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures utilizing sub-picosecond-range carrier-transport processes 国際会議
Hideo Takeuchi, J. Yanagisawa, S. Tsuruta, H. Yamada, M. Hata, and M. Nakayama
The 17th International Conference on Dynamical Processes in Excited States of Solids (DPC'10) 2010年6月
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Simple strategy for enhancing terahertz emission from coherent longitudinal optical phonons using undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures 国際会議
Hideo Takeuchi , J. Yanagisawa, S. Tsuruta, H. Yamada, M. Hata, and M. Nakayama
The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ICSC2010) 2010年6月
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Polarity reversal of terahertz electromagnetic waves in GaAs-based dilute nitride epitaxial layers
H. Takeuchi , J. Yanagisawa, J. Hashimoto, and M. Nakayama
日本物理学会2010年春季大会 2010年3月
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Layer-thickness dependence on THz electromagnetic wave generation from i-GaAs/n -GaAs epitaxial structures
S. Tsuruta, H. Takeuchi , J. Yanagisawa, H. Yamada, M. Hata, and M. Nakayama
日本物理学会2010年春季大会 2010年3月
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Direction of the surface band bending in GaAs1-xNx investigated by terahertz electromagnetic wave and its quantification using photoreflectance measurements
H. Takeuchi, Jun Hashimoto, Junichi Yanagisawa, and Masaaki Nakayama
第20回光物性研究会 2009年12月
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Maskless formation of patterned gallium nitride layer on low-energy Ga-ion-implanted silicon nitride surface by metal-organic chemical vapor deposition 国際会議
K. Ishiizumi, J. Kikkawa, Y. Nakamura, A. Sakai, and J. Yanagisawa
22nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference 2009年11月