講演・口頭発表等 - 柳澤 淳一
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Frequency-tunable terahertz electromagnetic wave emitters based on undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures utilizing sub-picosecond-range carrier-transport processes 国際会議
Hideo Takeuchi, J. Yanagisawa, S. Tsuruta, H. Yamada, M. Hata, and M. Nakayama
The 17th International Conference on Dynamical Processes in Excited States of Solids (DPC'10) 2010年6月
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Simple strategy for enhancing terahertz emission from coherent longitudinal optical phonons using undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures 国際会議
Hideo Takeuchi , J. Yanagisawa, S. Tsuruta, H. Yamada, M. Hata, and M. Nakayama
The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ICSC2010) 2010年6月
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Polarity reversal of terahertz electromagnetic waves in GaAs-based dilute nitride epitaxial layers
H. Takeuchi , J. Yanagisawa, J. Hashimoto, and M. Nakayama
日本物理学会2010年春季大会 2010年3月
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Layer-thickness dependence on THz electromagnetic wave generation from i-GaAs/n -GaAs epitaxial structures
S. Tsuruta, H. Takeuchi , J. Yanagisawa, H. Yamada, M. Hata, and M. Nakayama
日本物理学会2010年春季大会 2010年3月
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Direction of the surface band bending in GaAs1-xNx investigated by terahertz electromagnetic wave and its quantification using photoreflectance measurements
H. Takeuchi, Jun Hashimoto, Junichi Yanagisawa, and Masaaki Nakayama
第20回光物性研究会 2009年12月
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Maskless formation of patterned gallium nitride layer on low-energy Ga-ion-implanted silicon nitride surface by metal-organic chemical vapor deposition 国際会議
K. Ishiizumi, J. Kikkawa, Y. Nakamura, A. Sakai, and J. Yanagisawa
22nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference 2009年11月
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Observation and quantification of the direction reversal of the surface band herebending in GaAs1-xNx using terahertz electromagnetic wave and photoreflectance measurements 国際会議
Hideo Takeuchi, Junichi Yanagisawa, Jun Hashimoto, and Masaaki Nakayama
The 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8) 2009年10月
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Generation of intense terahertz electromagnetic wave in undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures
H. Takeuchi, J. Yanagisawa, T. Hasegawa, and M. Nakayama
日本物理学会2009年秋季大会 2009年9月
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Surface modification of SiNx to GaN by Ga ion implantation to form a matrix for selective growth of GaN by MOCVD 国際会議
J. Yanagisawa, K. Ishiizumi, and A. Sakai
16th International Conference on Surface Modification of Materials by Ion Beams 2009年9月
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集束イオンビーム支援堆積法で形成したカーボン系薄膜の機械的特性のイオン種依存性
柳沢淳一
電気学会プラズマ・パルスパワー・放電合同研究会 2009年8月
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Direction reversal of the surface band bending in GaAs-based dilute nitride epitaxial layers investigated by polarity of terahertz electromagnetic waves 国際会議
Hideo Takeuchi, Junichi Yanagisawa, and Masaaki Nakayama
The 14th International Conference on Narrow Gap Semiconductors and Systems (NGSS-14) 2009年7月
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Fabrication of micro fluid channel structures by focused ion beam techniques 招待 国際会議
J. Yanagisawa, H. Kobayashi, K. Koreyama, and Y. Akasaka
The MRS 2009 Spring Meeting 2009年4月
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FIB-CVD法で作製したカーボン系堆積物におけるアニールの影響
楊卓真，酒井朗, 柳沢淳一
第56回応用物理学関係連合講演会2009年春季 2009年3月
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Gaイオン注入したシリコン窒化膜上へのMOCVDによるGaNの選択成長
石泉和也, 柳沢淳一, 酒井朗
第56回応用物理学関係連合講演会2009年春季 2009年3月
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集束イオンビームで形成した多孔質Ge表面構造のプラズマ処理による改質の可能性
柳沢淳一
電気学会プラズマ研究会 2008年12月
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Enhancement mechanism of terahertz electromagnetic wave emission in undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures
H. Takeuchi, J. Yanagisawa, T. Hasegawa, and M. Nakayama
第19回光物性研究会 2008年12月
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Annealing effect of deposited materials formed by focused Au or Si ion beam-induced chemical vapor deposition using phenanthrene 国際会議
T. Yo, H. Tanaka, T. Nagata, N. Fukata, T. Chikyow, A. Sakai, and J. Yanagisawa
21th International Microprocesses and Nanotechnology Conference 2008年10月
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Intense emission of THz electromagnetic wave from an undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structure 国際会議
Hideo Takeuchi, J. Yanagisawa, T. Hasegawa, and M. Nakayama
The 35th International Symposium on Compound Semiconductors (ICSC2008) 2008年9月
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Nano-indentation measurement of carbonaceous films formed by focused ion beam-induced chemical vapor deposition (FIB-CVD) using Au or Si ions with phenanthrene 国際会議
T. Yo, H. Tanaka, K. Nakamatsu, S. Matsui, A. Sakai, and J. Yanagisawa
16th International Conference on Ion Beam Modification of Materials 2008年8月